据科创板日报7月25日消息，SK海力士已将其在芯片生产的一些清洁工艺步骤中使用的气体替换为更环保的气体。该公司进行了用全球变暖潜值 (GWP) 较低的气体替代三氟化氮 (NF3) 的测试。目前，该厂商已用GWP为0的F2气体取代了一些工艺步骤。 除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。