7月26日,美光宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片,是HBM3的下一代产品,采用1β工艺节点。美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s,引脚速度超过9.2Gb/s,比HBM3提高50%。此外,HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右,能效大幅提升。美光表示,24GB HBM3 Gen2内存已经出样给客户。(科创板日报)
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2023-07-27 15:28:16
美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s,引脚速度超过9.2Gb/s,比HBM3提高50%。
7月26日,美光宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片,是HBM3的下一代产品,采用1β工艺节点。美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s,引脚速度超过9.2Gb/s,比HBM3提高50%。此外,HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右,能效大幅提升。美光表示,24GB HBM3 Gen2内存已经出样给客户。(科创板日报)
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