财联社11月4日讯（编辑 刘蕊）今年10月，全球DRAM合约均价再度刷新历史新高，同时NAND闪存均价延续上月的最高价位。

机构预计，今年第四季度，DRAM价格有望环比上涨，而NAND闪存方面，MLC闪存和SLC闪存价格走势将出现分化。

DRAM价格预计环比上涨

集邦咨询旗下DRAMeXchange发布数据显示，10月通用型DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均合约价格达到27.5美元，较上月26美元环比上涨5.77%；对比2016年6月开始追踪统计时的2.9美元的价格，如今已经累计上涨约9.5倍。

集邦咨询预测，今年第四季度PC DRAM合约价将环比上涨13%-18%。

DRAM价格此番持续上涨的原因在于存储大厂产能结构调整：厂商优先扩产服务器内存，同步压缩PC端DRAM供给。机构预计，韩国DRAM厂商明年的PC DRAM产量将较今年下滑20%以上。

尽管当前全球PC终端需求低迷，但受供给持续紧张影响，PC DRAM价格上涨趋势料将延续。

据透露，在四季度合约议价阶段，曾有厂商提出15%-20%的涨价方案，但遭到下游客户抵触，大单成交受阻。不过集邦咨询认为，供给短缺局面仍将延续，11月合约价格基准会较10月小幅走高。

MLC和SLC价格走势分化

NAND闪存方面，10月用于存储卡、U盘的通用MLC 闪存（128Gb 16Gx8 MLC）平均合约价为30.61美元，与上月持平。

集邦咨询分析，NAND闪存厂商把产能转向先进3D NAND工艺，老旧工艺产品的供给正在收缩。一方面高价给下游客户带来采购压力，另一方面市场又面临供货量不足的困境，两股力量相互抵消。

与MLC闪存不同，受汽车、工业控制设备、低轨卫星的需求拉动，SLC（单层单元）NAND闪存价格持续走高。10月SLC产品均价环比上涨5%-10%，其中4Gb及以上的大容量型号涨幅达到9.0%-9.9%。

展望后市，机构预计MLC与SLC价格走势或将出现分化：第四季度大容量SLC产品涨价行情还将延续；而下游客户会转向性价比更高的SLC或者TLC（三层单元）产品，MLC需求随之走弱，价格存在小幅下行压力。