10月23日，A股存储芯片板块活跃。午后，长鑫科技直线拉升，截至发稿大涨超6%。截至发稿，好上好、大港股份涨停，大普微涨超10%，云汉芯城涨超9%，力源信息、普冉股份、华天科技等涨幅居前。消息面上，英伟达首席执行官黄仁勋表示，“内存半导体供应过剩不太可能在2029年之前发生。”据CNBC报道，当地时间22日，英伟达CEO黄仁勋在德国柏林举办的英伟达GPU技术大会期间，针对存储产业发表了最新研判。黄仁勋此番表态，正处在一个微妙的时刻。近期，韩国《每日经济新闻》刊发的一篇专栏文章援引专家观点警告：“随着大量新增产能陆续投产，2029年起存储市场将转为‘红海’，本轮超级周期可能就此终结，行业进入下行阶段。”相关行业人士认为，黄仁勋的反驳逻辑并不复杂，但触及了当前存储供需讨论中最容易被忽略的一环：AI对内存的消耗，不是线性的容量叠加，而是结构性的效率挤压。“内存的真正优势在于，内存越多越好，而且你总是可以消耗更多的容量。”黄仁勋认为，高带宽内存HBM在未来数年内仍将被持续广泛采用；而英伟达率先将手机中使用的LPDDR内存引入数据中心，使能效达到现有方案的两倍，这一路线也将继续以“大量”规模推进。对此，前述行业人士向记者解释称，英伟达作为全球最大的AI芯片采购方之一，其对内存的需求曲线并不跟随传统服务器或消费电子的周期波动，而是由AI算力集群的部署密度和每机架内存容量的持续抬升所驱动。单台AI服务器搭载的DRAM容量是传统服务器的8至10倍，这一倍数关系意味着，即便AI服务器出货量的增速出现阶段性放缓，其对内存位元需求的绝对拉动仍远非传统需求所能对冲。供给端的实际情况也不容忽视，当下，存储三巨头确实在激进扩产：三星、SK海力士、美光2026年合计资本支出接近1200亿美元，均创各自历史新高。但记者在采访中获悉，资本开支转化为可用的内存位元，中间存在两重时滞：一方面，新建晶圆厂从建设到稳定产出通常需要两到三年，新厂大多要到2027年下半年才能投片，真正明显放量将拖至2028年。另一方面，HBM在生产中消耗的晶圆面积约为同等容量通用DRAM的三倍，一颗HBM裸片所占的晶圆面积大体相当于3GB的DDR5。到2027年，HBM预计将占据全球DRAM晶圆总产能的近30%，但其在全球DRAM总供应量中仅能贡献约13%的容量份额。这意味着，即便晶圆投片量数字看起来可观，流向通用DRAM的有效供给增量会被HBM的“吞噬效应”大幅稀释。根据摩根大通全球存储研究团队预测，2026年至2028年，存储芯片行业供需缺口分别约为20%、19%和15%。即使客户通过降低部分产品规格减少内存消耗，供应仍然难以满足需求。黄仁勋还回应了与长鑫存储合作的可能性。他说：“我们与中国公司合作，几乎整个世界都在供应链的某个环节与中国公司合作。中国在底层基础设施技术方面非常出色，没有哪个国家在制造业方面比中国更强。”此外，TrendForce集邦咨询最新预测：由于AI推理需求爆发拉动需求，2026年第四季度普通DRAM合约价环比将再度上涨10%—15%，计入HBM后整体DRAM价格将上涨15%—20%；NAND第四季度价格将环比上涨15%—20%，其中企业级SSD单项涨幅达23%—28%，涨幅居于首位。A股存储公司的前三季度业绩也反映出产业的高景气度持续向好。比如，长鑫科技预计：前三季度实现营业收入2650亿元至2700亿元，与上年同期相比将增加2329.16亿元至2379.16亿元；实现归母净利润1310亿元至1325亿元，与上年同期-52.80亿元相比将增加1362.80亿元至1377.80亿元，实现扭亏为盈。AI对HBM存储需求与DRAM涨价的共振下，机构已经上修SK海力士三季度营收至98.23万亿韩元，营业利润76.96万亿韩元，营业利润率78.4%。部分机构甚至预测其营业利润有望突破80万亿韩元，创公司单季历史新高。此前，市场在9月底对SK海力士形成的共识是：三季度营收94.1万亿韩元、营业利润74.1万亿韩元。对于供需缺口，高盛在8月研报中预测：2026年全球DRAM供需缺口（供给减需求占需求的比例）为-4.9%，是过去15年来最严重的一次，且预计2027年将更加紧张。三星存储业务执行副总裁金在俊直言，2027年供需缺口将比2026年更严重，2028年之前不会出现显著新增供应。作者：李兴彩 刘逸鹏来源：上海证券报微信公众号