上证报中国证券网讯（记者 邓贞）10月22日，上证报记者从中微公司获悉，近日，中微公司宣布，Primo Domingo®气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求，中微公司在高选择性刻蚀设备领域的重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到60比1、90比1的极高深宽比，硅刻蚀达到140比1的极高深宽比，已经达到国际一流水平。公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术，已经达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。