在日前落幕的2026世界制造业大会上，长鑫科技(688825)正式宣布其第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，并同步展示了基于该平台的大容量LPDDR5X产品。在此之前，公司自主研发的LPDDR6芯片也已实现量产商用。据国际权威市场研究机构Counterpoint Research估算，长鑫存储在全球DRAM营收中的份额已从2025年第二季度的4%，一路攀升至2026年第二季度的10%，稳居全球第四大DRAM厂商。

如果说市场份额的提升是商业层面的结果，那么第五代DRAM技术平台的量产则是支撑长鑫科技长期业绩向好的核心底层动力。在2026世界制造业大会主论坛上，长鑫科技宣布G5平台正式量产，这标志着国产DRAM正式跻身全球顶尖量产工艺第一梯队。

据介绍，依托四重曝光技术，G5平台将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，已接近全球最顶尖的内存量产平台制程水平。此外，该平台的存储电容深宽比达到45:1，并开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，将核心功能区高度缩小到6762纳米。

更为关键的是，G5平台带来了显著的效率型增量。通过界面工程、鞍形鳍式结构等突破，G5平台每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%。这种单位成本的大幅摊薄，直接优化了长鑫科技的盈利模型。

在制程跃迁的同时，长鑫科技在产品端也迎来了高端化的历史性突破。日前，公司自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机，成为全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为16GB，最高传输速率可达12800Mbps，充分满足旗舰级智能手机及高性能终端设备对极致计算能力的需求。除了LPDDR6，基于G5平台打造的两款LPDDR5X量产产品同样表现亮眼。这两款产品单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball与245Ball封装规格，适配中高端智能手机与便携式消费电子。同时，“第二代豆包手机”努比亚NaviX Ultra搭载长鑫科技最高速率10667Mbps的LPDDR5X内存，实现了国产高速率LPDDR5X芯片的首次量产应用。