近日，中微公司正式发布其全新产品——Primo Matrix®双反应台等离子体晶圆切割设备，并宣布全球首台设备已顺利付运国内重要集成电路封装客户。

公司相关负责人介绍，随着先进封装技术成为延续摩尔定律的重要路径，晶圆切割作为封装工艺中的关键环节，直接影响芯片良率与生产效率。针对先进封装对高精度、低损伤、窄切割道的迫切需求，中微公司在等离子晶圆切割设备领域取得重要突破，此次发布的新品Primo Matrix系列是公司在先进封装领域等离子体切割赛道的核心自主成果，并为该路线国产化落地增添方案选择。

据了解，中微公司Primo Matrix®采用在量产已得到充分验证的Primo TSV®的等离子体深硅刻蚀技术，集成双反应台刻蚀腔室及晶圆传输模块，兼具高产能、高精度，低成本和灵活的工艺适配能力。此设备兼容带框架200mm、300mm晶圆高效率切割需求，在满足加工性能的同时，实现高产能，高设备集成度与低生产成本。在切割精度方面，此设备可适用于小到5μm的不同切割道宽度工艺，大幅减少晶圆面积损耗，提升有效芯片产出。在工艺兼容性方面，此设备支持25—700μm晶圆厚度范围，适用于晶圆减薄后切割及多种先进封装工艺。同时，设备以300mm晶圆为主要加工平台，向下兼容200mm晶圆切割工艺，提升了在不同尺寸晶圆生产线中的应用灵活性。

目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65nm到3nm及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术，已经达到0.2nm的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。

据披露，公司已开发出54种高端半导体设备，包括26种高能和低能等离子体刻蚀机设备、24种各类薄膜设备、化学机械抛光设备和部分量检测设备。截至2026年9月底，公司累计已有超过9300个反应台在国内外生产线实现量产。