本文来源：时代周报

9月30日，中国科学院上海技术物理研究所提出单晶金属薄膜原位分步蒸镀技术，开辟单晶金属生长全新动力学路径。该技术可制备铋、银、铟、金和钯等多种单晶金属，制备的材料可构筑高质量有序半导体界面，用于二维半导体器件可实现超低接触电阻，相关成果发表于《科学》期刊，有望为电子与光电集成系统原子级制造提供核心支撑。